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穴を通した600v 16a Mosfet力トランジスターTO-247-3 IRFPC60PBF

最低順序量: 10 PCS
MOQ
negotiate
価格
穴を通した600v 16a Mosfet力トランジスターTO-247-3 IRFPC60PBF
特徴 ギャラリー 製品の説明 見積依頼
特徴
仕様
製造業者部品番号: IRFPC60PBF
ブランド名: original
タイプ: 集積回路
起源の場所: 元の製造業者
直流: 新しいLastest
調達期間: 1-3働く幾日
ハイライト:

600v Mosfet力トランジスター

,

16a Mosfet力トランジスター

,

IRFPC60PBF
基本情報
起源の場所: 元の工場
ブランド名: IR
証明: Standard Certification
モデル番号: IRFPC60PBF
お支払配送条件
パッケージの詳細: 標準的な包装
受渡し時間: 3daysの中では
支払条件: 先立ってT/T、ウェスタン・ユニオン、Xtransfer
供給の能力: 1000
製品の説明

穴TO-247-3を通したIRFPC60PBF MOSFET力トランジスター600V 16A

 

商品は調節する: 真新しい 部分の状態: 活動的
無鉛/Rohs: 不平 機能: MOSFET
タイプの取付け: 穴を通して パッケージ: TO247
高いライト:

高い発電mosfetのトランジスター

、

nチャネルのトランジスター
 

 

IRFPC60PBF MOSFETのトランジスターN-Channel 600V 16A （穴TO-247-3を通したTc） 280W （Tc）

特徴
•動的dV/dtの評価
•評価される反復的ななだれ
•隔離された中央取り付け穴
•速い切換え
•平行になる容易さ
•簡単なドライブ条件
•鉛（Pb）のなしの利用できる

記述
Vishayからの第三世代力のMOSFETsは速い切換え、高耐久化された装置設計、低いオン抵抗および費用効果の最もよい組合せをデザイナーに与える。TO-220装置の使用を排除するためにTO-247パッケージが商業産業適用高い発電のレベルのために好まれる。TO-247は類似している隔離された取り付け穴のためにより早いTO-218パッケージより優秀でありではない。それはまたほとんどの安全指定の条件を満たすためにピン間のすばらしい表面漏れ間隔を提供する。

製造業者 Vishay Siliconix  
シリーズ -  
包装 か。 管 か。  
部分の状態 活動的  
FETのタイプ N-Channel  
技術 MOSFET （金属酸化物）  
流出させなさいに源の電圧（Vdss） 600V  
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C 16A （Tc）  
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） 10V  
Vgs （（最高） Th） @ ID 4V @ 250µA  
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs 210nC @ 10V  
Vgs （最高） ±20V  
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds 3900pF @ 25V  
FETの特徴 -  
電力損失（最高） 280W （Tc）  
（最高） @ ID、VgsのRds 400 mOhm @ 9.6A、10V  
実用温度 -55°C | 150°C （TJ）  
タイプの取付け 穴を通して  
製造者装置パッケージ TO-247-3  
パッケージ/場合 TO-247-3

 

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