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IRFP4227 DC Mosfet力トランジスターNチャネルIRFP4227PBFへの-247AC

最低順序量: 10 PCS
MOQ
negotiate
価格
IRFP4227 DC Mosfet力トランジスターNチャネルIRFP4227PBFへの-247AC
特徴 ギャラリー 製品の説明 見積依頼
特徴
仕様
製造業者部品番号: IRFP4227PBF
タイプ: 集積回路
起源の場所: 元の製造業者
記述: 元で新しい
DC: 新しいLastest
調達期間: 1-3working幾日
ハイライト:

DC Mosfet力トランジスター

,

Mosfet力トランジスターNチャネル

,

IRFP4227PBF
基本情報
起源の場所: 元の工場
証明: Standard Certification
モデル番号: IRFP4227PBF
お支払配送条件
パッケージの詳細: 標準的な包装
受渡し時間: 3daysの中では
支払条件: 先立ってT/T、ウェスタン・ユニオン、Xtransfer
供給の能力: 1000
製品の説明

-247AC IRFP4227PBFへのIRFP4227 NチャネルMOSFET力トランジスター

 

商品は調節する: 真新しい 部分の状態: 活動的
無鉛/Rohs: 不平 機能: Mosfet
タイプの取付け: 穴を通して パッケージ: TO247
高いライト:

nチャネルmosfetのトランジスター

、

nチャネルのトランジスター
 

 

IRFP4227 200V 65A NチャネルMOSFETのトランジスターTO-247AC IRFP4227PBF

特徴か。
高度の加工技術か。
PDPのために最大限に活用される主変数はスイッチ塗布支え、エネルギー回収、そしてパスか。
PDPの電力損失を減らす低いEPULSEの評価はスイッチ支え、エネルギー回収、そしてパス

適用か。
速い応答のための低いQGか。
信頼できる操作のための高く反復的なピーク電流の機能か。
速い切換えのための短い落下及び上昇時間か。175°C改善された険しさのための作動の接合部温度か。
強さおよび信頼性のための反復的ななだれの機能

製造業者 インフィニオン・テクノロジーズ  
シリーズ HEXFET®  
包装 か。 管 か。  
部分の状態 活動的  
FETのタイプ N-Channel  
技術 MOSFET （金属酸化物）  
流出させなさいに源の電圧（Vdss） 200V  
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C 65A （Tc）  
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） 10V  
Vgs （（最高） Th） @ ID 5V @ 250µA  
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs 98nC @ 10V  
Vgs （最高） ±30V  
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds 4600pF @ 25V  
FETの特徴 -  
電力損失（最高） 330W （Tc）  
（最高） @ ID、VgsのRds 25 mOhm @ 46A、10V  
実用温度 -40°C | 175°C （TJ）  
タイプの取付け 穴を通して  
製造者装置パッケージ TO-247AC  
パッケージ/場合 TO-247-3

 

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