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統合されたMosfet力トランジスター破片SUD50P06-15L-E3の堀fetシリーズ

最低順序量: 10 PCS
MOQ
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価格
統合されたMosfet力トランジスター破片SUD50P06-15L-E3の堀fetシリーズ
特徴 ギャラリー 製品の説明 見積依頼
特徴
仕様
モデル番号: SUD50P06-15L-E3
タイプ: 集積回路
起源の場所: 元の製造業者
D/C: Newst
港: シンセンか香港
調達期間: 1-3働く幾日
ハイライト:

統合されたMosfet力トランジスター

,

Mosfet力トランジスター破片

,

SUD50P06-15L-E3

基本情報
起源の場所: 元の工場
ブランド名: VISHAY
証明: ROHS
モデル番号: SUD50P06-15L-E3
お支払配送条件
パッケージの詳細: 標準的な包装
受渡し時間: 3daysの中では
支払条件: 先立ってT/T、ウェスタン・ユニオン、Xtransfer
供給の能力: 1000
製品の説明

P-CHの集積回路ICはSUD50P06-15L-E3 TO252の堀FETシリーズを欠く

 

商品は調節する: 真新しい 部分の状態: 活動的
無鉛/Rohs: 不平 機能: Mosfet
タイプの取付け: 表面の台紙 パッケージ: TO-252
高いライト:

nチャネルmosfetのトランジスター

nチャネルのトランジスター

 

 

SUD50P06-15L-E3集積回路ICの破片MOSFET P-CH 60V 50A TO252 TrenchFETシリーズ

P-Channel 60 V (D-S)、175の°C MOSFET

特徴
1、TrenchFET®力MOSFET
2の175の°Cの接合部温度
3、RoHS指導的な2002/95/ECに迎合的

製造業者 Vishay Siliconix  
シリーズ TrenchFET®  
包装 か。 テープ及び巻き枠(TR) か。  
部分の状態 活動的  
FETのタイプ P-Channel  
技術 MOSFET (金属酸化物)  
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 60V  
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 50A (Tc)  
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 4.5V、10V  
Vgs ((最高) Th) @ ID 3V @ 250µA  
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 165nC @ 10V  
Vgs (最高) ±20V  
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 4950pF @ 25V  
FETの特徴 -  
電力損失(最高) 3W (Ta)、136W (Tc)  
(最高) @ ID、VgsのRds 15 mOhm @ 17A、10V  
実用温度 -55°C | 175°C (TJ)  
タイプの取付け 表面の台紙  
製造者装置パッケージ TO-252、(D朴)  
パッケージ/場合 TO-252-3、DPak (2つの鉛+タブ)、SC-63

 

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部品番号 MFG/BRAND   部品番号 MFG/BRAND
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