Name: 単一の高圧Mosfet力トランジスターDC SIHB22N60E-E3 ROHS
Brand: VISHAY
SKU: SIHB22N60E-E3
Rating: 4.5 (132 reviews)

特徴ギャラリー製品の説明見積依頼

特徴

仕様

製造業者部品番号: SIHB22N60E-E3

ブランド名: original

タイプ: 集積回路

起源の場所: 元の製造業者

直流: 新しいLastest

調達期間: 1-3働く幾日

ハイライト:

単一Mosfet力トランジスター

Mosfet力トランジスターROHS

高圧MosfetのトランジスターDC

基本情報

起源の場所: 元の工場

ブランド名: VISHAY

証明: ROHS

モデル番号: SIHB22N60E-E3

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パッケージの詳細: 標準的な包装

受渡し時間: 3daysの中では

支払条件: 先立ってT/T、ウェスタン・ユニオン、Xtransfer

供給の能力: 1000

ギャラリー

単一の高圧Mosfet力トランジスターDC SIHB22N60E-E3 ROHS

製品の説明

高圧単一MOSFET力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK

FETのタイプ:

N-channel

実用温度:

-55°C | 150°C （TJ）

パッケージ:

TO263-3 D2PAK

高いライト:

nチャネルmosfetのトランジスター

、

nチャネルのトランジスター

高圧単一Mosfet力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK

MSL 1の単一のN-CHANNELのMOSFETS

プロダクト技術仕様

製造業者	Vishay Siliconix
シリーズ	-
包装	管
部分の状態	活動的
FETのタイプ	N-Channel
技術	MOSFET （金属酸化物）
流出させなさいに源の電圧（Vdss）	600V
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C	21A （Tc）
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）	10V
（最高） @ ID、VgsのRds	180 mOhm @ 11A、10V
Vgs （（最高） Th） @ ID	4V @ 250µA
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs （最高）	±30V
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds	1920pF @ 100V
FETの特徴	-
電力損失（最高）	227W （Tc）
実用温度	-55°C \| 150°C （TJ）
タイプの取付け	表面の台紙
製造者装置パッケージ	D2PAK
パッケージ/場合	TO-263-3のDの²朴（2つの鉛+タブ）、TO-263AB

OPA2107AU/2K5	チタニウム	PTH05050WAZ	チタニウム
THCV231-3L/CD	チタニウム	TMS320DM8168CCYG2	チタニウム
THC63LVD1024-1LTN	チタニウム	PTH08T231WAD	チタニウム
TMS320F28035PNT	チタニウム	TPS65920A2ZCHR	チタニウム
INA126PA	チタニウム	LMH0344SQ/NOPB	チタニウム
TPS73533DRBR	チタニウム	AD5412AREZ-REEL7	チタニウム
TPS54319RTER	チタニウム	ADS1241E/1K	チタニウム
IC12715001	チタニウム	TL16C552AFNR	チタニウム
THCV235-TB	チタニウム	PGA204AU/1K	チタニウム
THCV236-ZY	チタニウム	ADS8505IDWR	チタニウム
ADS8326IDGKR	チタニウム	TMS320LF2407APGEA	チタニウム
ADS7816U/2K5	チタニウム	AM3703CUSD100	チタニウム
DAC7558IRHBR	チタニウム	TMS320DM8148CCYEA0	チタニウム
ADSP-21489KSWZ-4B	チタニウム	LMZ23610TZE/NOPB	チタニウム
TPS75801KTTR	チタニウム	TPS2115ADRBR	チタニウム

タグ:

コンタクトパーソン :	Jack
電話番号 :	+8618098974141

単一の高圧Mosfet力トランジスターDC SIHB22N60E-E3 ROHS

単一Mosfet力トランジスター

Mosfet力トランジスターROHS

高圧MosfetのトランジスターDC

nチャネルmosfetのトランジスター

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プロダクト技術仕様

Mosfet力トランジスター

高い発電のトランジスター

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