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43A 200v Mosfet力トランジスターSMPS nチャネルIRFB38N20DPBF 3.8W 300W

最低順序量: 10 PCS
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価格
43A 200v Mosfet力トランジスターSMPS nチャネルIRFB38N20DPBF 3.8W 300W
特徴 ギャラリー 製品の説明 見積依頼
特徴
仕様
製造業者部品番号: IRFB38N20DPBF
タイプ: 集積回路
起源の場所: 元の製造業者
ブランド名: Original brand
DC: 新しいLastest
調達期間: 1-3working幾日
ハイライト:

200V mosfet力トランジスター

,

Mosfet力トランジスターSMPS

,

IRFB38N20DPBF
基本情報
起源の場所: 元の工場
ブランド名: IOR
証明: ROHS
モデル番号: IRFB38N20DPBF
お支払配送条件
パッケージの詳細: 標準的な包装
受渡し時間: 3daysの中では
支払条件: 先立ってT/T、ウェスタン・ユニオン、Xtransfer
供給の能力: 1000
製品の説明

200V 43A 3.8W 300W MOSFET力トランジスターIRFB38N20DPBF N-チャネルSMPS MOSFET

 

FETのタイプ: N-Channel 源の電圧に流出させなさい: 200V
現在-連続的な下水管: 43A ドライブ電圧: 10V
高いライト:

高い発電mosfetのトランジスター

、

nチャネルmosfetのトランジスター
 

 

IRFB38N20DPBFのN-Channel 200V 43A 3.8W 300Wを通した穴TO-220AB SMPS MOSFET

適用
l高周波DC-DCのコンバーター
l TO-220は無鉛ようにPbFで利用できる
利点
損失を転換することを減るべきl低いゲートに下水管充満
lは十分に設計を簡単にするために有効なCOSSを含むキャパシタンスを特徴付けた（SeeApp。ノートAN1001）
lは十分になだれの電圧および流れを特徴付けた

 

FETのタイプ N-Channel  
技術 MOSFET （金属酸化物）  
流出させなさいに源の電圧（Vdss） 200V  
現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C 43A （Tc）  
ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） 10V  
（最高） @ ID、VgsのRds 54 mOhm @ 26A、10V  
Vgs （（最高） Th） @ ID 5V @ 250µA  
ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs 91nC @ 10V  
Vgs （最高） ±20V  
入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds 2900pF @ 25V  
FETの特徴 -  
電力損失（最高） 3.8W （Ta）、300W （Tc）  
実用温度 -55°C | 175°C

 

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