紫外消去可能なプログラム可能読み取り専用メモリSMJ27C256-15JM

速い細部:

紫外線消去可能PROM

記述:

SMJ27C256シリーズは、紫外線の消去可能なかまれる、一組の262,144電気でプログラム可能読み取り専用メモリである。これらの装置はMOSおよび両極回路が付いている高速および簡単なインターフェイスのためのパワー セービングCMOSの技術を使用して製造される。すべての入力は外的なプルアップの抵抗器の使用なしでシリーズ（を含むプログラム データ入力） 54のTTL回路運転することができる。各出力は外的な抵抗器なしで1つのシリーズ54 TTL回路を運転できる。データ出力は共通バスに多数装置を接続するための3州である。SMJ27C256は28ピン256K ROMsおよびEPROMsとピン互換性がある。それは-55°C評価される600mil dual-in-line陶磁器のpagackageで（Jの接尾辞）からの125°C.に操作のために提供される。

このEPROMは単一5V供給から（読まれたモードで）作動するので、マイクロ プロセッサ・ベース システムの使用にとって理想的である。1つの他の供給（13V）はプログラミングのために必要である。

すべてのプログラミング信号はTTLのレベルである。この装置はスナップによってプログラム可能である!脈拍のプログラミングのアルゴリズム。

スナップ!脈拍のプログラミングのアルゴリズムは4秒のわずかなプログラミングの時間の間13VのVPPおよび6.5VのVCCを使用する。システムの外のプログラミングのために、既存のEPROMプログラマーは使用することができる。位置はプログラムする単独で、ブロックで、または無作為にことができる。

適用:

•整頓されていた32,768 x 8

•単一+5V ±10%の電源

•既存の256K ROM'SおよびEPROM'SとPin互換性がある

•すべての入力/互換性があるTTLを十分に出力する

•パワー セービングCMOSの技術

•まさに高速スナップ!脈拍のプログラミング

•3州の出力バッファ

•400 mV DCはstandarad TTLの負荷とのノイズ耐性を保証した

•すべての入出力ピンの250 mAのLatchupの免除

•低い電力の消滅（CMOSの入力レベル）

3Active - 165mW最悪の場合

3Standby - 1.7mW最悪の場合（CMOS入力レベル）

指定: