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半導体の集積回路の破片MOSFETの運転者MIC5016BWMの低い側面

最低順序量: 1
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半導体の集積回路の破片MOSFETの運転者MIC5016BWMの低い側面
特徴 ギャラリー 製品の説明 見積依頼
特徴
仕様
製造業者部品番号: MIC5016BWM
ブランド名: original
パッケージ: SOIC-16/(SOP-16)
単価: 最も最近の価格のための私達に連絡しなさい
条件: 原物100%
データ用紙: 私達に連絡しなさい!
ハイライト:

半導体の集積回路の破片

,

集積回路の破片MOSFET

,

MIC5016BWM

基本情報
起源の場所: 元の工場
ブランド名: Micrel Semiconductor
証明: Lead free / RoHS Compliant
モデル番号: MIC5016BWM
お支払配送条件
パッケージの詳細: 標準的な包装
受渡し時間: 3daysの中では
支払条件: 先立ってT/T、ウェスタン・ユニオン、Xtransfer
供給の能力: 1000
製品の説明

MIC5016BWM MICRELの半導体-低価格の二重高またはLOW-SIDE MOSFETの運転者

 

詳しい製品の説明
電圧-供給: 2.75 V | 30ボルト 実用温度: -40°C | 85°C
タイプの取付け: 表面の台紙 製造者装置パッケージ: 16-SOIC
構成: 独立した高低の側面 遅れ時間: 2.5ms
高いライト:

力によって導かれる運転者回路

オフ・ラインの導かれた運転者IC

 

 

MIC5016BWM Micrelの半導体-低価格の二重高または低側のMOSFETの運転者

速い細部:

低価格の二重高または低側のMOSFETの運転者

記述:

MIC5016およびMIC5017二重MOSFETの運転者はN-channelのゲート制御、強化モード、高側か低側のスイッチとして使用される力のMOSFETsのために設計されている。MIC5016/7はオン州の出力を不明確に支えることができる。

MIC5016/7は2.75Vから30V供給に作動する。highside構成では、運転者は30Vまでの負荷を転換するMOSFETsを制御できる。低側の構成では、別の供給と、最高は電圧をMOSFETによってだけ限られている転換した。

MIC5016/7に2つのTTLの多用性がある操作量がある。MIC5016はMIC5017が逆になっている間noninverting。

MIC5016/7はゲートの電圧を支えることができる利用できる供給電圧より大きい内部チャージ ポンプを特色にする。運転者は2.75V供給からの論理レベルのMOSFETsか5V供給からの標準的なMOSFETsで回ることができる。ゲートに源の出力電圧はおよそ15Vに内部的に限られる。

MIC5016/7は– 20Vの自動車負荷ダンプ、逆転させた電池および誘導負荷スパイクから保護される。運転者の過電圧の操業停止の特徴はおよそ35Vで電源の脱線から負荷を保護するために外的なMOSFETsを消す。

MIC5016は多くのMIC5012適用の改良されたピンのためピン多用性がある取り替えである。MIC5016/7はプラスチック14ピンすくいおよび16ピンSOIC pacakgesで利用できる。

適用:

•30V操作への2.75V

•100µA最高の供給の流れ(5V供給)

•15µA典型的なオフ状態の流れ

•内部チャージ ポンプ

•TTLの多用性がある入力

•一時的な60Vに抗する(負荷ダンプ)

•– 20Vに保護される逆電池

•– 20Vに保護される誘導のスパイク

•35Vの過電圧の操業停止

•内部15Vゲートの保護

•最低の外的な部品

•高側か低側の構成で作動する

•1µA pull-off操作量

•逆になり、noninverting版

指定:

データ用紙 MIC5016、MIC5017
プロダクト写真 16 SOIC
標準パッケージ 47
部門 集積回路(IC)
家族 PMIC - MOSFETの橋運転者-外部スイッチ
シリーズ -
包装
構成 独立した高低の側面
入れられたタイプ 非逆になること
遅れ時間 2.5ms
現在-ピーク -
構成の数 1
出力の数 2
最高高い側面の電圧- (ブートストラップ) -
電圧-供給 2.75 V | 30ボルト
実用温度 -40°C | 85°C
タイプの取付け 表面の台紙
パッケージ/場合 16-SOIC (0.295"、7.50mmの幅)
製造者装置パッケージ 16-SOIC
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