単一フラッシュ・メモリIC 64KB FM1608-120バイト幅のFramの記憶

FM1608-120 - RAMTRON INTERNATIONAL CORPORATION - 64KBバイト幅FRAMの記憶

速い細部:

64Kbバイト幅FRAMの記憶

記述:

FM1608は高度のferroelectricプロセスを用いる64キロビットの不揮発性メモリである。ferroelectric RAMメモリかFRAMはある

不揮発性しかしRAMとして他の点で作動する。それは10年間電池に支えられるSRAMの信頼性の心配、機能不利な点およびシステム設計の複雑さを除去している間データ保持を提供する。その速く持久力を書くためそれを他のタイプの不揮発性メモリより優秀にさせるために書き、高く。

FM1608の内部システム操作は他のRAMに非常に類似している基づかせていた装置を。記憶読書およびwritecyclesは等しい時を要求する。しかしFRAMの記憶は独特なferroelectric記憶プロセスが不揮発性原因である。BBSRAMとは違って、FM1608は偽りなく単一不揮発性メモリである。それはモジュールによって関連付けられる深刻な不利な点なしで速いのの同じ機能利点を書く提供する

電池か雑種の記憶解決。

これらの機能は不揮発性メモリの適用要求のためのFM1608理想を頻繁にさせるまたは急流はバイト幅の環境に書く。本当の表面台紙のパッケージの供給はすくいのパッケージはシンプルな設計の改装を促進するが、新しい設計のmanufacturabilityを改善する。FM1608は-40°Cに+85°C.の産業温度較差上の保証された操作を提供する。

適用:

64KビットFerroelectric不揮発性RAM

·8,192のx 8ビットとして組織される

·100億（1010）読んだり/高い持久力は書く

·85° Cの10年データ保持

·NoDelay™は書く

·高度の高信頼性のferroelectricプロセス

BBSRAMモジュールへの目上の人

·電池の心配無し

·単一信頼性

·本当の表面の台紙の解決、改善のステップ無し

·湿気、衝撃および振動のための目上の人

·否定的な電圧undershootsに対して抵抗力がある

互換性があるSRAM及びEEPROM

·JEDEC 8Kx8 SRAM及びEEPROMのpinout

·120 nsのアクセス時間

·180 nsのサイクル時間

·同等のアクセス及びサイクル時間はのための読み、書く

低い電力操作

·15 mAの活動的な流れ

·20 mAのスタンバイの流れ

業界標準構成

·産業温度-40° Cから+85° C

·28ピンSOPかすくい

指定: