S29GL512P12TFIV20 - SPANSION - 1ギガビット、512メガビット、256メガビットおよび128メガビット3.0 VOLT-ONLYのページ モード フラッシュ・メモリ
| 高いライト: | 否定論履積のフラッシュ・メモリの破片、cmosのフラッシュ・メモリ | ||
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速い細部:
90 nm MirrorBitの加工技術を特色にする1ギガビット、512のメガビット、256のメガビットおよび128メガビット3.0のボルトだけページ モード フラッシュ・メモリ
記述:
Spansion S29GL01G/512/256/128Pは抜け目がないプロダクトが90 nmの加工技術で製造したMirrorbit®である。これらの装置は90 ns対応するランダム・アクセス時間との25 nsの速いページのアクセス時間を速く提供する。それらは標準的なプログラミングのアルゴリズムより速く有効なプログラミングの時間に終って書く最大32のwords/64バイトが1つの操作でプログラムされるようにする緩衝を特色にする。これはこれらの装置を高密度、よりよい性能および低い電力の消費を要求する今日の埋め込まれた適用にとって理想的にさせる。
適用:
単一3Vは（V） 2.7-3.6読んだり/プログラム/消去
高められたVersatileI/O™制御
–すべての入力レベル（住所、制御およびDQの入力レベル）および出力はVIOの入力の電圧によって定められる。VIOの範囲は1.65からVCCである
90 nm MirrorBitの加工技術
8 word/16バイトのページはバッファー読み取りを
32 word/64バイトは緩衝を減らすmultiple-word更新の全面的なプログラミングの時間を書く
保証されたケイ素のセクターの地域
– 8 word/16バイトの任意電子通し番号による永久的で、安全な同一証明のための128 word/256バイトのセクター
–工場でまたは顧客によってプログラムされ、締まることができる
ユニフォーム64のKword/128 Kバイトのセクターの建築
– S29GL01GP:千の24のセクター
– S29GL512P:500の12のセクター
– S29GL256P:200の五十六のセクター
– S29GL128P:百の28のセクター
典型的なセクターごとの100,000の消去周期
典型的な20年データ保持
提供されたパッケージ
– 56ピンTSOP
– 64ボールはBGAを強化した
プログラムおよび消去操作のための命令を中断し、再開しなさい
操作の状態ビットを示し、プログラムを消す操作の完了を書きなさい
時間をプログラムすることを減るバイパス プログラム命令の鍵を開けなさい
CFI （共通の抜け目がないインターフェイス）のためのサポート
高度のセクターの保護の耐久性があるおよびパスワード方法
WP#/ACCの入力
–システム生産の間のすばらしい効率のためのAcceleratesプログラミングの時間（VHHが適用される場合の）
–セクターの保護設定にもかかわらず最初または最後のセクターを保護する
ハードウェア調整入力（RESET#）調整装置
出力（RY/BY#）検出するプログラムまたは消去周期の完了を用意しなさい/Busy#の
指定:
| 部品番号。 | S29GL512P12TFIV20 |
| 製造業者 | SPANSION |
| 供給の能力 | 10000 |
| 日付コード | 10+ |
| パッケージ | TSOP |
| 注目 | 新しく、元の在庫 |
